采用Zn0.9Mg0.1O和Zn0.95Mg0.05O納米晶作為ETL，還實(shí)現(xiàn)了其他高效的紅色QLED。器件中的電荷平衡源于金屬離子摻雜引起的較大電子注入勢(shì)壘，導(dǎo)致電子遷移率降低?；蛘撸惹行枰岢鲆环N在不犧牲電子遷移率的情況下顯著提高空穴遷移率的方法，以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定高效的QLED；開發(fā)加工簡(jiǎn)單的QLED類型，不包括絕緣和超薄功能層，以實(shí)現(xiàn)QLED的經(jīng)濟(jì)高效和高通量解決方案制造。由于電子和空穴注入、俄歇復(fù)合以及金屬離子擴(kuò)散和遷移的不平衡速率，膠體QLED的EQE適中，使用壽命有限。大多數(shù)工作都致力于電子注入層的改性和界面工程，以獲得更好的QLED，而最近的幾項(xiàng)工作則側(cè)重于空穴注入層的改性。